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Si4310BDY
Vishay Siliconix
CHANNEL-2 TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
50
40
30
20
V GS = 10 V thr u 4 V
50
40
30
20
T C = 125 °C
10
3 V
10
25 °C
- 55 °C
0
0
0
1
2
3
4
5
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
0.015
0.012
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Output Characteristics
4000
3500
3000
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
Transfer Characteristics
C iss
0.009
0.006
V GS = 4.5 V
V GS = 10 V
2500
2000
1500
0.003
0.000
1000
500
0
C rss
C oss
0
10
20
30
40
50
0
5
10
15
20
25
30
6
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Drain Current
1.6
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
Capacitance
5
V DS = 15 V
I D = 14 A
1.4
V GS = 10 V
I D = 14 A
4
1.2
3
1.0
2
1
0
0. 8
0.6
0
5
10
15
20
25
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
www.vishay.com
6
Q g - Total Gate Charge (nC)
Gate Charge
I D - Drain C u rrent (A)
On-Resistance vs. Junction Temperature
Document Number: 73064
S09-2436-Rev. B, 16-Nov-09
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